onsemi MJD112-1G

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
$ 0.469
Production
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

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DistributorSKUMinPkg
Future ElectronicsMJD112-1G7350Tube
Verical
8
MJD112-1G52575
Arrow Electronics
2
MJD112-1G12901
Master ElectronicsMJD112-1G43.20075
Onlinecomponents.comMJD112-1G43.20075Bulk

Fichas técnicas y documentos

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Upverter

Datasheet8 páginasHace 15 años
Datasheet8 páginasHace 20 años

Master Electronics

Farnell

onsemi

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
onsemiMJD112-1G
onsemiMJD112-001
Price @ 1000
$ 0.469
$ 0.175
Stock
1,075,773
50,106
Authorized Distributors
6
1
Mount
-
-
Case/Package
TO-251
TO-251
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
Max Collector Current
2 A
2 A
Transition Frequency
25 MHz
25 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
2 V
hFE Min
200
200
Power Dissipation
1.75 W
20 W

Cadena de suministros

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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Bipolar Transistor, (-)100V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA
Detalles

Descripciones

Descripciones de onsemi MJD112-1G suministradas por sus distribuidores.

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
IHS
2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
onsemi
MJD Series 100 V 2 A Through Hole NPN Complementary Darlington Power Transistor
Future Electronics
ON SEMI MJD112-1G NPN DARLINGTON TRANSISTOR, 2 A 100 V HFE:1000, 3-PIN IPAK
RS (Formerly Allied Electronics)
Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators converters and power amplifiers.
North Star Micro
TRANSISTOR, NPN, 100V, 2A, TO-251; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: 25MHz; Power Dissipation Pd: 20W; DC Collector Current: 2A; DC Current Gain hFE: 200hFE; Transisto
Farnell
Darlington Transistor, Npn, 100V, Dpak-3; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:100V; Power Dissipation Pd:20W; Dc Collector Current:2A; Rf Transistor Case:To-252 (Dpak); No. Of Pins:3Pins; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi MJD112-1G
Newark

Imágenes

Farnell
Augswan
Newark
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
LZChips
Future Electronics
Rochester Electronics
JRH Electronics

Alias de fabricantes

onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • MJD112-1G.