onsemi MBT3904DW1T1
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Este componente
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Stock
3,127,122
13,761,016
13,761,016
Authorized Distributors
5
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SOT-363-6
SOT-363-6
SOT-363-6
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
40 V
40 V
Max Collector Current
200 mA
200 mA
200 mA
Transition Frequency
300 MHz
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
300 mV
300 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
150 mW
150 mW
150 mW
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-11-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2011-05-23
LTD Date2011-11-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
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Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Dual NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Descripciones
Descripciones de onsemi MBT3904DW1T1 suministradas por sus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363 / Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 200mA 300MHz 150mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
MBT3904DW1 - TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88;
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating200 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current200 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation150 mW
Transition Frequency300 MHz
Voltage Rating (DC)40 V
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento