onsemi KSD882YSTU
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date2000-12-27
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2025-01-05
LTD Date2025-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.APT13003DU-G1
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126
onsemiKSC2258ASTU
Tube Through Hole NPN Bipolar (BJT) Transistor 40 @ 40mA 20V 100mA 4W 100MHz
Descripciones
Descripciones de onsemi KSD882YSTU suministradas por sus distribuidores.
KSD882 Series 30 V 3 A 1 W NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-126
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
500mV@ 200mA,2A NPN 1W 5V 1μA 40V 30V 3A TO-126-3 Through hole mounting 8mm*3.25mm*11mm
Trans GP BJT NPN 30V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
TRANSISTOR, NPN, 30V, 3A, TO-126-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transition Frequency ft: 90MHz; Power Dissipation Pd: 10W; DC Collector Current: 3A; DC Current Gain hFE: 160hFE; Transisto
Trans, Npn, 30V, 3A, 150Deg C, 10W; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:30V; Continuous Collector Current:3A; Power Dissipation:10W; Transistor Mounting:Through Hole; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:90Mhz Rohs Compliant: Yes |Onsemi KSD882YSTU
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-126
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency90 MHz
Gain Bandwidth Product90 MHz
hFE Min60
Max Collector Current3 A
Max Frequency1 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation10 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency90 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height14.2 mm
Length8.3 mm
Width3.45 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento