onsemi HUF75339P3
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Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
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InfineonIRF1010NPBF
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Descripciones
Descripciones de onsemi HUF75339P3 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel 55 V 0.012 Ohm Flange Mount UltraFET Power Mosfet - TO-220AB
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220; UltraFET®
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These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET® process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. It was designed for use in applications where power efficiency is important, such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, lowvoltage bus switches, and power management in portable and battery-operated products.Formerly developmental type TA75339.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating75 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation200 W
Rds On Max12 mΩ
Resistance12 mΩ
Rise Time60 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height20.4 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento