onsemi FQP4N90C

Power Mosfet, N-channel, Qfet®, 900 V, 4 A, 4.2 Ω, TO-220
$ 1.045
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onsemi

Fairchild Semiconductor

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 1.045
$ 0.703
Stock
615,673
206,219
Authorized Distributors
4
3
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
TO-220
Drain to Source Voltage (Vdss)
900 V
900 V
Continuous Drain Current (ID)
4 A
3.6 A
Threshold Voltage
5 V
-
Rds On Max
4.2 Ω
4.25 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
140 W
130 W
Input Capacitance
960 pF
910 pF

Cadena de suministros

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-06-30
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2022-06-21
LTD Date2022-12-21
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)

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MOSFET N-CH 900V 2.8A TO-220
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N-channel 900 V, 4.1 Ohm typ., 3 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220 package
Transistor MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin TO-220 Tube

Descripciones

Descripciones de onsemi FQP4N90C suministradas por sus distribuidores.

Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 900 V, 4 A, 4.2 Ω, TO-220
TRANSISTOR, N-CHANNEL, QFET MOSFET, 900V, 4.0A, 4.2 OHM AT VGS 10V, TO-220
Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube / MOSFET N-CH 900V 4A TO-220
N-Channel 900 V 4.2 O 22 nC Flange Mount QFET Mosfet - TO-220AB
QFET 900 V N-CHANNEL MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 900V, 4A, TO-220AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(on):3.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Powe
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N; Max Current Id:4.2A; Max Voltage Vds:900V; On State Resistance:3.3ohm; Rds Measurement Voltage:10V; Max Voltage Vgs:30V; Power Dissipation:140W; Operating Temperature Range:-55ºC to +150ºC; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:Cobalt dichloride; Case Style:TO-220; Cont Current Id:4.2A; Device Marking:FQP4N90; Max On State Resistance:3.3ohm; Max Voltage Vgs th:5V; Power Dissipation Pd:140W; Pulse Current Idm:16.8A; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:MOSFET; Typ Voltage Vds:900V; Typ Voltage Vgs th:5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; SVHC (Additional):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP)

Alias de fabricantes

onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • FQP4N90C.