onsemi FQA62N25C
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-22
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Componentes relacionados
InfineonIRFP4332PBF
MOSFET Operating temperature: -40...175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 360 W
InfineonIRFP4227PBF
MOSFET Operating temperature: -40...175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 330 W
STMicroelectronicsSTW52NK25Z
N-channel 250 V, 0.033 Ohm typ., 52 A, Zener protected SuperMESH Power MOSFET in TO-247 package
Descripciones
Descripciones de onsemi FQA62N25C suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 250 V, 62 A, 35 mΩ, TO-3P
MOSFET, N CH 62A 250V TO-39PN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:62A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):35mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-3PN; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:62A; Package / Case:TO-3PN; Power Dissipation Pd:298W; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:250V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificaciones técnicas
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.401 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)62 A
Current Rating62 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance35 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time335 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance6.28 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation298 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation298 W
Rds On Max35 mΩ
Resistance35 MΩ
Rise Time395 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time245 ns
Turn-On Delay Time75 ns
Voltage Rating (DC)250 V
Dimensions
Height18.9 mm
Length15.8 mm
Width5 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento