Infineon IRFP4227PBF
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-02-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2026-05-31
LTD Date2026-11-30
Componentes relacionados
InfineonIRFP90N20DPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.023Ohm;ID 94A;TO-247AC;PD 580W;VGS +/-30V
InfineonIRFP4332PBF
MOSFET Operating temperature: -40...175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 360 W
Descripciones
Descripciones de Infineon IRFP4227PBF suministradas por sus distribuidores.
MOSFET Operating temperature: -40...175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 330 W
Single N-Channel 200 V 25 mOhm 70 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247AC
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 200V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
MOSFET, N, 200V, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:65A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):25mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:330W; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Cont Current Id @ 100°C:46A; Cont Current Id @ 25°C:65A; Current Id Max:65A; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Pd:330W; Power Dissipation Pd:330W; Pulse Current Idm:260A; Rth:0.45; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds:200V; Voltage Vds Typ:240V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)65 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Dual Supply Voltage240 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance4.6 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation330 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-40 °C
Nominal Vgs5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance25 mΩ
Package Quantity400
Power Dissipation330 W
Rds On Max25 mΩ
Recovery Time150 ns
Resistance25 MΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time33 ns
Dimensions
Height24.99 mm
Length15.87 mm
Width5.3086 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento