onsemi FQA11N90C-F109
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-01-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
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Descripciones
Descripciones de onsemi FQA11N90C-F109 suministradas por sus distribuidores.
MOSFET Transistor, N Channel, 11 A, 900 V, 0.91 ohm, 10 V, 5 V
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 900 V, 11.0 A, 1.1 Ω, TO-3P
MOSFET, N-CH, 900V, 11A, TO-3PN-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 11A; Drain Source Voltage Vds: 900V; On Resistance Rds(on): 0.91ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V; Pow
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificaciones técnicas
Physical
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.401 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance1.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time85 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.29 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max1.1 Ω
Resistance1.1 Ω
Rise Time130 ns
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time130 ns
Turn-On Delay Time60 ns
Dimensions
Height23.8 mm
Length15.8 mm
Width5 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento