STMicroelectronics STW11NK100Z
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
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InfineonIPW90R800C3FKSA1
104W(Tc) 20V 3.5V@ 460¦ÌA 42nC@ 10 V 1N 900V 800m¦¸@ 4.1A,10V 6.9A 1.1nF@100V TO-247 21.1mm
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STW11NK100Z suministradas por sus distribuidores.
N-CHANNEL 1000V - 1.1 Ohm - 8.3A TO-247 Zener-Protected SuperMESH™ PowerMOSFET
STW11NK100Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 8.3 A, 1000 V, 3-PIN TO-247
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 8.3 A, 1.38 Ohm, TO-247, 3 Pins, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 1000V, 1.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
MOSFET, N, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 8.3A; Drain Source Voltage Vds: 1kV; On Resistance Rds(on): 1.38ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipatio
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight9.071847 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.3 A
Current Rating8.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage1 kV
Drain to Source Resistance1.38 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)1 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time55 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.5 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation230 W
Min Breakdown Voltage1 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation230 W
Rds On Max1.38 Ω
Resistance1.38 Ω
Rise Time18 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time98 ns
Turn-On Delay Time27 ns
Voltage Rating (DC)1 kV
Dimensions
Height24.45 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant