onsemi FOD817A300
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | FOD817A300 | 804 | 1 | |||||||||
| DigiKey | FOD817A300-ND | 10.685 | 1 | Tube | ||||||||
| Onlinecomponents.com | FOD817A300 | 0 | 2K | Bulk | ||||||||
| Avnet | FOD817A300 | 0 | 2K | 18h | ||||||||
| Future Electronics | FOD817A300 | 0 | 2K | Tube |
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Stock
272,348
534,484
Authorized Distributors
6
6
Case/Package
DIP
DIP
Number of Pins
4
4
Number of Channels
1
1
Isolation Voltage
5000 Vrms
5000 Vrms
Current Transfer Ratio
80 %
80 %
Rise Time
18 µs
18 µs
Fall Time
18 µs
18 µs
Output Voltage
70 V
70 V
Output Current
-
-
Forward Voltage
1.4 V
1.4 V
Forward Current
50 mA
50 mA
Cadena de suministros
Country of OriginThailand
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.40.80.00
Introduction Date2004-04-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descripciones
Descripciones de onsemi FOD817A300 suministradas por sus distribuidores.
Optocoupler, Transistor Output, 1 Channel, DIP, 4 Pins, 50 mA, 5 kV, 80 %
Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP Black Box
Avnet Japan
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The FOD814 consists of two gallium arsenide infrared emitting diodes, connected in inverse parallel, driving a silicon phototransistor output in a 4-pin dual in-line package. The FOD817 Series consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor in a 4-pin dual in-line package.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDIP
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins4
Weight408 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage70 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)200 mV
Current Transfer Ratio80 %
Dark Current100 nA
Fall Time18 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.4 V
Input Current50 mA
Isolation Voltage5000 Vrms
Max Collector Current50 mA
Max Input Current50 mA
Max Operating Temperature110 °C
Max Output Voltage70 V
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output Current per Channel50 mA
Output Voltage70 V
PackagingBox
Power Dissipation200 mW
Reverse Breakdown Voltage6 V
Rise Time18 µs
Schedule B8541408000
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento