onsemi FJV1845EMTF
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Componentes alternativos
Este componente
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$ 0.026
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Stock
957,653
1,797,514
1,797,514
Authorized Distributors
4
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
120 V
120 V
120 V
Max Collector Current
50 mA
50 mA
50 mA
Transition Frequency
110 MHz
110 MHz
110 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
70 mV
70 mV
70 mV
hFE Min
400
300
300
Power Dissipation
300 mW
300 mW
300 mW
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-07-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2020-01-16
LTD Date2020-07-16
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
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Descripciones
Descripciones de onsemi FJV1845EMTF suministradas por sus distribuidores.
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage120 V
Collector Emitter Saturation Voltage70 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)120 V
Current Rating50 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product110 MHz
hFE Min400
Max Breakdown Voltage120 V
Max Collector Current50 mA
Max Frequency110 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541290080
Transition Frequency110 MHz
Voltage Rating (DC)120 V
Dimensions
Height1.2 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento