onsemi FJP1943RTU
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$ 2.453
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Stock
80,617
160,832
160,832
Authorized Distributors
3
5
5
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
-
-
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-230 V
250 V
250 V
Max Collector Current
17 A
17 A
17 A
Transition Frequency
30 MHz
30 MHz
30 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-400 mV
-
-
hFE Min
55
55
55
Power Dissipation
80 W
130 W
130 W
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-01-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2022-04-01
LTD Date2022-10-01
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi FJP1943RTU suministradas por sus distribuidores.
Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT PNP 230V 15A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
TRANSISTOR, PNP, -230V, -15A, TO-220-3
5Ã×A 230V 80W 15A 60@7A5V 30MHz 400mV@8A800mA PNP -50¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-220 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Transistor, Pnp, -230V, -15A, To-220-3; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:-230V; Transition Frequency Ft:30Mhz; Power Dissipation Pd:80W; Dc Collector Current:-15A; Dc Current Gain Hfe:55Hfe; Transistor Caserohs Compliant: Yes |Onsemi FJP1943RTU
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-230 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-230 V
Collector Emitter Saturation Voltage-400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)250 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency30 MHz
Gain Bandwidth Product30 MHz
hFE Min55
Max Collector Current17 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Operating Temperature-50 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation80 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency30 MHz
Dimensions
Height20.4 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento