onsemi FJE5304DTU
$ 0.483
EOL
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi FJE5304DTU.
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de onsemi FJE5304DTU desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloFootprint | ||
 Ultra Librarian | SímboloFootprint | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.483
$ 0.614
Stock
1,175,237
338,670
Authorized Distributors
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-126
TO-126
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
400 V
400 V
Max Collector Current
4 A
4 A
Transition Frequency
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
-
hFE Min
8
8
Power Dissipation
30 W
30 W
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-05-12
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2025-07-02
LTD Date2026-01-02
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
Componentes relacionados
onsemiFJE3303H1TU
Tube Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 8 @ 500mA 2V 1.5A 20W 4MHz
Diodes Inc.APT13003DU-G1
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126
Descripciones
Descripciones de onsemi FJE5304DTU suministradas por sus distribuidores.
Transistor, bjt, npn,400V V(Br)Ceo,4A I(C),to-126 Rohs Compliant: Yes |Onsemi FJE5304DTU
Transistor General Purpose BJT NPN 400 Volt 4 Amp 3-Pin TO-126 Rail
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
Bipolar Transistors - BJT 700V/400V/4A/NPN
Trans GP BJT NPN 400V 4A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-126
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)700 V
Collector Emitter Breakdown Voltage400 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 V
Current Rating4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)12 V
hFE Min8
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation30 W
Schedule B8541290080
Voltage Rating (DC)400 V
Dimensions
Height14.2 mm
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi FJE5304DTU.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento