onsemi FGP15N60UNDF
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68,679
Authorized Distributors
2
1
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-220-3
TO-220-3
Collector Emitter Breakdown Voltage
600 V
600 V
Max Collector Current
30 A
30 A
Power Dissipation
178 W
47 W
Collector Emitter Saturation Voltage
2.7 V
1.95 V
Reverse Recovery Time
82.4 ns
270 ns
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-01-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
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IGBT 600V 30A 115W TO220 / Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
InfineonIRGB4620DPBF
600 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220AB package, TO220COPAK-3, RoHS
Descripciones
Descripciones de onsemi FGP15N60UNDF suministradas por sus distribuidores.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube / IGBT 600V 30A 178W TO220-3
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
178W 2.2V Freestanding 600V 30A TO-220-3 Through hole mounting 9.4mm(height)
Using advanced NPT IGBT technology, Fairchild’s the NPT IGBTs offer the optimum performance for low-power inverter-driven applications where low-losses and short-circuit ruggedness features are essential, such as : sewing machine, CNC, motor control and home appliances.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.7 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12.8 ns
Max Collector Current30 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation178 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation178 W
Reverse Recovery Time82.4 ns
Dimensions
Height16.51 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento