onsemi FGH75T65UPD-F085
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NRND
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2013-11-15
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)
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LittelfuseIXXH60N65B4H1
Disc Igbt Xpt-Genx4 To-247Ad/ Tube Rohs Compliant: Yes |Ixys Semiconductor IXXH60N65B4H1
Descripciones
Descripciones de onsemi FGH75T65UPD-F085 suministradas por sus distribuidores.
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AB
IGBT Transistors 650V/75A FS TRENCH
375W 1.69V 650V 150A TO-247-3 20.82mm
IGBT, AEC-Q101, 650V, 150A, TO-247; DC Collector Current: 150A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.69V; Power Dissipation Pd: 375W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-247; No. of
Using Novel Field Stop Trench IGBT Technology, Fairchild’s new series of Field Stop Trench IGBTs offer the optimum perfor- mance for Automotive chargers, Solar Inverter, UPS and Digital Power Generator where low conduction and switching losses are essential.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -31.20%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.39 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.21 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time33 ns
Max Collector Current150 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time85 ns
Rise Time71 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento