onsemi FGY75N60SMD
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-09-08
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 20 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 20 hours ago)
Componentes relacionados
InfineonIGW75N60TFKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube, PG-TO247-3, RoHS
STMicroelectronicsSTGW80V60DF
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed
onsemiFGH60N60SFDTU-F085
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
onsemiFGH60N60SMD-F085
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Descripciones
Descripciones de onsemi FGY75N60SMD suministradas por sus distribuidores.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 750000mW 3-Pin Power-247 Tube / IGBT 600V 150A 750W POWER-247
Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGY75N60SMDIGBT Single Transistor, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 Pins
Fs2Pigbt To247 75A 600V Rohs Compliant: Yes
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop 2nd generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
IGBT, FIELD STOP, 600V,75A,POWER-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:150A; Collector Emitter Voltage Vces:1.9V; Power Dissipation Pd:750W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:Power 247; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight7.629 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.9 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current150 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Max Collector Current150 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation750 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation750 mW
Reverse Recovery Time55 ns
Rise Time73 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time136 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height24.75 mm
Length15.87 mm
Width4.82 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento