onsemi FFB2907A
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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ROHMUMT2907AT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
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ROHMDTC143TUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
NXP SemiconductorsPDTA143ZE,115
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-75 T/R
Descripciones
Descripciones de onsemi FFB2907A suministradas por sus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 300mW 6-Pin SC-70 T/R / TRANS 2PNP 60V 0.6A SC70-6
FEB2907 Series 60 V CE Breakdown 0.6 A PNP General Purpose Amplifier - SC-70-6
This device is designed for use as a general purpose amplifier and switch requiring collector currents to 500 mA. Sourced from Process 63.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight28 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-60 V
Collector Emitter Saturation Voltage-1.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating-600 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency250 MHz
Gain Bandwidth Product250 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current600 mA
Max Frequency250 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PolarityPNP
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541290080
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length2 mm
Width1.25 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento