onsemi BC857S
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2000-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Componentes relacionados
onsemiMMBT3906WT1G
Bipolar Transistors (BJT); MMBT3906WT1G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 40 V; 200 mA; 3
ROHM2SA1774TLQ
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHMUMT3906T106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descripciones
Descripciones de onsemi BC857S suministradas por sus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
TRANSISTOR,BJT,PAIR,PNP,45V V(BR)CEO,200MA I(C),SO
Trans GP BJT PNP 45V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R
This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 200 mA. Sourced from Process 68.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight28 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-45 V
Collector Emitter Saturation Voltage-650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating-200 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min125
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency200 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PolarityPNP
Power Dissipation300 mW
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)-45 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length2 mm
Width1.25 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento