onsemi FDS6675BZ
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Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.011Ohm;ID 13A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;VF 1
Descripciones
Descripciones de onsemi FDS6675BZ suministradas por sus distribuidores.
P-Channel 30 V 21.8 mOhm 2.5 W Power Trench Mosfet - SOIC-8
P-Channel PowerTrench® MOSFET -30V, -11A, 13mΩ
Transistor: P-Mosfet; Unipolar; -30V; -11A; 2.5W; So8
-30 V, -11 A, 13 MILLI OHM P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
This P-Channel MOSFET is producted using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance13 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.47 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-2 V
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max13 mΩ
Resistance21.8 MΩ
Rise Time7.8 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage-2 V
Turn-Off Delay Time120 ns
Turn-On Delay Time3 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento