onsemi FDS4141
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-12-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
onsemiFDS4141-F085
Mosfet Transistor, P Channel, -10.8 A, -40 V, 0.0105 Ohm, -10 V, -1.7 V |Onsemi FDS4141_F085
VishaySI4425DDY-T1-GE3
SI4425DDY Series 30 V 9.8 mOhm 80 nC P-Channel Surface Mount Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF7821PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descripciones
Descripciones de onsemi FDS4141 suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R / MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-SOIC
P-Channel 40 V 13 mOhm SMT PowerTrench® Mosfet - SOIC-8
P-Channel PowerTrench® MOSFET -40V, -10.8A, 13.0mΩ
This P-Channel MOSFET has been produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary PowerTrench® technology to deliver low rDS(on) and optimized BVDSS capability to offer superior performance benefit in the applications and optimized switching performance capability reducing power dissipation losses in converter/inverter applications.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -14.03%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-40 V
Drain to Source Resistance13 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.67 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.6 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max13 mΩ
Resistance13 MΩ
Rise Time2 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1.6 V
Turn-Off Delay Time42 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9 mm
Width3.9 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento