onsemi FDPF680N10T
$ 0.743
EOL
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | FDPF680N10T | 6995 | 378 | |||||||||
| Avnet | FDPF680N10T | 17.535 | 1429 | 6h | ||||||||
| Rochester Electronics | FDPF680N10T | 37.903 | 4h | |||||||||
| Flip Electronics | FDPF680N10T | 17.535 | 6d | |||||||||
| Farnell | FDPF680N10T | 0 | 1K | Tube | 1d |
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 EE Concierge | SímboloFootprint | ||
 SnapEDA | Footprint | Descargar | |
 Ultra Librarian | SímboloFootprint | Descargar |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-12-15
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Componentes relacionados
InfineonIRFI530NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.11Ohm;ID 12A;TO-220 Full-Pak;PD 41W;-55de
STMicroelectronicsSTP14NF12FP
N-Channel 120V - 0.16Ohm - 14A - TO-220FP LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) POWER MOSFET
InfineonIRLI530NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 12A;TO-220 Full-Pak;PD 41W;-55deg
Descripciones
Descripciones de onsemi FDPF680N10T suministradas por sus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 12A, 68mΩ
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
onsemi NMOS PowerTrench, Vds=100 V, 12 A, TO-220F, , 3
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance68 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation24 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingRail/Tube
Power Dissipation24 W
Rds On Max68 mΩ
Rise Time19 ns
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height19.5 mm
Length10.36 mm
Width4.9 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento