onsemi FQPF19N10
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Obsolete
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-10-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
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InfineonIRFI530NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.11Ohm;ID 12A;TO-220 Full-Pak;PD 41W;-55de
InfineonIRLI530NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 12A;TO-220 Full-Pak;PD 41W;-55deg
Descripciones
Descripciones de onsemi FQPF19N10 suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
N-Channel QFET® MOSFET 100V, 13.6A, 100mΩ
100 V, 13.6 A, 100 MILLI OHM N-CHANNEL MOSFET Power Field-Effect Transistor, 13.6A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -60.89%
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)13.6 A
Current Rating19 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance780 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation38 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation38 W
Rds On Max100 mΩ
Rise Time150 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time7.5 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento