onsemi FDP3672
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-09-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
InfineonIRF1310NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.036Ohm;ID 42A;TO-220AB;PD 160W;VGS +/-20V
NXP SemiconductorsBUK7528-100A,127
Trans MOSFET N-CH 100V 47A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
InfineonIRF540ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 21Milliohms;ID 36A;TO-220AB;PD 92W;gFS 36V
Descripciones
Descripciones de onsemi FDP3672 suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 105V 5.9A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB Tube
N-Channel 105 V 33 mOhm PowerTrench® Mosfet - TO-220AB
N-Channel PowerTrench® MOSFET 105V, 41A, 33mΩ
Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 105V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.59%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.9 A
Current Rating41 A
Drain to Source Breakdown Voltage105 V
Drain to Source Resistance33 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)105 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.67 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation135 W
Min Breakdown Voltage105 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation135 W
Rds On Max33 mΩ
Resistance33 MΩ
Rise Time48 ns
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)105 V
Dimensions
Height9.4 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento