onsemi FDP3651U

Name: onsemi FDP3651U
Brand: onsemi
SKU: FDP3651U

N-Channel 100 V 18 mOhm PowerTrench® Mosfet - TO-220AB

$ 1.05

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		FDP3651U	486	1		3,500	1,950	1,770	1,520	1,500
Verical	2	FDP3651U	379	7			0,895	0,895	0,895	0,895
Arrow Electronics		FDP3651U	379	1		0,895	0,895	0,895	0,895	0,895
Rochester Electronics		FDP3651U	770					1,300	1,080	0,962	3h
DigiKey		FDP3651U-ND	424	1	Tube	3,100	3,100	1,391	1,042	0,956

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IHS

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Fairchild Semiconductor

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onsemi

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Cadena de suministros

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2006-07-03

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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Descripciones

Descripciones de onsemi FDP3651U suministradas por sus distribuidores.

N-Channel 100 V 18 mOhm PowerTrench® Mosfet - TO-220AB

Future Electronics

N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 80A, 18mΩ

onsemi

Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):18mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4.5V; Power Dissipation Pd:255W; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:SOT-78B; Capacitance Ciss Typ:4152pF; Current Id Max:80A; Junction Temperature Tj Max:175°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Junction to Case Thermal Resistance A:0.59°C/W; On State Resistance Max:18mohm; On State Resistance Typ:15mohm; Package / Case:TO-220; Pin Configuration:G(1),D(2)S(3); Power Dissipation Pd:255W; Power Dissipation Pd:255W; Pulse Current Idm:320A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5.5V; Voltage Vgs th Min:3.5V

element14 APAC

Imágenes

Rochester Electronics

Alias de fabricantes

onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Especificaciones técnicas

Physical

Case/PackageTO-220AB

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight1.8 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)80 A

Current Rating80 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance18 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time14 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance5.522 nF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation255 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation255 W

Rds On Max18 mΩ

Resistance18 MΩ

Rise Time16 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage4.5 V

Turn-Off Delay Time32 ns

Turn-On Delay Time15 ns

Voltage Rating (DC)100 V

Dimensions

Height9.4 mm

Length10.67 mm

Width4.83 mm

Fichas técnicas y documentos

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Fairchild Semiconductor

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onsemi

Farnell

Cumplimiento

Clasificación ambiental

China RoHSNon-Compliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Declaraciones de cumplimiento

Rohs Statement3 páginasHace 5 años

Reach Statement3 páginasHace 12 años

Materials Sheet3 páginasHace 12 años

Reach Statement3 páginasHace 11 años

Materials Sheet3 páginasHace 11 años

Reach Statement8 páginasHace 11 años

Rohs Statement1 páginasHace 12 años

Rohs Statement1 páginasHace 14 años

Reach Statement2 páginasHace 13 años

Rohs StatementN/AN/A