onsemi FDP26N40
$ 1.29
EOL
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | FDP26N40 | 5 | 20h | |||||||||
| Farnell | FDP26N40 | 0 | 1 | 20h | ||||||||
| Microchip USA | FDP26N40 | 174 | 150 | Tray | 7d | |||||||
| Weyland Electronics Group Pte. Ltd. | FDP26N40 | 1820 | 1 | Tape & Reel | 2h | |||||||
| Win Source | WS-FDP26N40 | 295 | 12 | 21h |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi FDP26N40.
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de onsemi FDP26N40 desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
 EE Concierge | SímboloFootprint | ||
 SnapEDA | Footprint | 3D | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-02-28
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 years ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 years ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTP32NM50N
N-channel 500 V, 0.1 Ohm typ., 22 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
Descripciones
Descripciones de onsemi FDP26N40 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 400V, 26A, 160mΩ, TO-220
Trans MOSFET N-CH 400V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
N-Channel 400 V 160 mOhm Flange Mount Mosfet - TO-220
400 V, 26 A, 0.16 OHM N-CHANNEL MOSFET Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 400V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 400V, 26A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:26A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):0.13ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:265W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)26 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time66 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.185 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation265 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation265 W
Rds On Max160 mΩ
Resistance160 MΩ
Rise Time100 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time115 ns
Turn-On Delay Time45 ns
Dimensions
Height16.51 mm
Length10.1 mm
Width4.7 mm
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi FDP26N40.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento