onsemi FDP030N06
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-08-12
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2026-01-01
LTD Date2026-07-01
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 / N-Channel 60 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Descripciones
Descripciones de onsemi FDP030N06 suministradas por sus distribuidores.
FDP030N06 series 60 V 193 A 3.2 mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet - TO-220-3
MOSFET, N-CH, 60V, 120A, 175DEG C, 231W; Available until stocks are exhausted
Trans MOSFET N-CH 60V 193A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 193A, 3.2mΩ
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.421 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance3.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.815 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation231 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation231 W
Rds On Max3.2 mΩ
Rise Time178 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time54 ns
Turn-On Delay Time39 ns
Dimensions
Height15.38 mm
Length10.1 mm
Width4.7 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento