onsemi FDP020N06B-F102
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
InfineonIPP024N06N3GXKSA1
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 / N-Channel 60 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
STMicroelectronicsSTP260N6F6
N-channel 60 V, 0.0024 Ohm, 120 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in TO-220 package
Descripciones
Descripciones de onsemi FDP020N06B-F102 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 313A, 2mΩ
FDP020N06B Series 60 V 313 A 2 mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet - TO-220-3
Trans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance20.93 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation333 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation333 W
Rds On Max2 mΩ
Resistance2 MΩ
Rise Time62 ns
Turn-Off Delay Time112 ns
Turn-On Delay Time74 ns
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento