onsemi FDN8601
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-07-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23 / P-Channel 100 V 600mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Descripciones
Descripciones de onsemi FDN8601 suministradas por sus distribuidores.
MOSFET, N CH, 100V, 2.7A, SSOT-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drai
FDN8601 Series 100 V 2.7 A 109 mOhm N-Ch PowerTrench Mosfet - SuperSOT-3
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 2.7A, 109mΩ
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.
MOSFET, N CH, 100V, 2.7A, SSOT-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.7A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0854ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:1.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SuperSOT; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance109 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance210 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1.5 W
Rds On Max109 mΩ
Rise Time1.3 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time7.8 ns
Turn-On Delay Time4.3 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length1.4 mm
Width2.92 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento