onsemi CPH3362-TL-W
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-04-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2021-10-05
LTD Date2022-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.ZXMP10A13FQTA
MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23 / P-Channel 100 V 600mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
InfineonBSS169H6906XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 170 mA, 2.9 Ohm, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Descripciones
Descripciones de onsemi CPH3362-TL-W suministradas por sus distribuidores.
Single P-Channel 100 V 0.7 A 3.7 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
MOSFET P-CH 100V 700MA 3CPH / P-Channel 100 V 700mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 3-CPH
P-Channel Power MOSFET, -100V, -0.7A, 1.7Ω
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
Transistor Polarity:p Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:700Ma; On Resistance Rds(On):1.3Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.6V Rohs Compliant: Yes
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-236-3
Contact PlatingTin Bismuth
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)700 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance1.7 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance142 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation1 W
Rds On Max1.7 Ω
Rise Time3.4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time3.9 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento