onsemi FDMS9620S
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30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package, TSOP6L, RoHS
Descripciones
Descripciones de onsemi FDMS9620S suministradas por sus distribuidores.
Dual N-Channel 30 V 32 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - Power 56
Trans MOSFET Array Dual N-CH 30V 7.5A/10A 8-Pin MLP EP T/R
Avnet Japan
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V
MOSFET 30V Dual N-Ch PowerTrenchAr MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 0.0215ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Fet 30V 21.5 Mohm Mlp Rohs Compliant: Yes
MOSFET N-CHAN DUAL 30V POWER56
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
2.5W 20V 3V@ 250µA 14nC@ 10V 2individualNChannel 30V 21.5mΩ@ 7.5A,10V 7.5A，10A 665pF@15V DFN SMD mount 6mm*5mm*800μm
This device includes two specialized MOSFETs in a unique dual Power 56 package. It is designed to provide an optimal Synchronous Buck power stage in terms of efficiency and PCB utilization. The low switching loss high-side MOSFET is complemented by a low conduction loss low-side SyncFET™.
MOSFET, DUAL, N, SMD, MLP; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):21.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.6V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Cont Current Id N Channel 2:7.5A; Cont Current Id N Channel 3:10A; Current Id Max:10A; On State Resistance Channel 1:21.5mohm; On State Resistance N Channel 2:13mohm; Package / Case:Power 56; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:60A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1.6V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:3V
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight228 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance21.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance665 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max21.5 mΩ
Resistance32 MΩ
Rise Time13 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.6 V
Turn-Off Delay Time27 ns
Dimensions
Height750 µm
Length5 mm
Width6 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento