Infineon IRF8513PBF
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-11-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-10-25
LTD Date2015-04-25
Componentes relacionados
InfineonIRF8707GTRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 11A, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Contin
Descripciones
Descripciones de Infineon IRF8513PBF suministradas por sus distribuidores.
Dual N-Channel 30 V 15.5 mOhm 5.7 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.0155ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET, DUAL N-CH 30V 8A/11A SO8; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):15.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:2.4W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:8mA; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.4W; Power Dissipation Pd:2.4W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.35V
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance15.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationDual
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance766 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation2.4 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Elements2
Power Dissipation2.4 W
Rds On Max15.5 mΩ
Recovery Time23 ns
Resistance15.5 MΩ
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1.8 V
Dimensions
Height1.4986 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento