onsemi FDMS86350
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2013-05-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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InfineonIRF7748L1TRPBF
Power Field-Effect Transistor, 148A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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FDB86360 Series 80 V 110 A 1.8 mOhm N-Ch Power Trench Mosfet - D²PAK (TO-263AB)
onsemiFDMS030N06B
In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin Power 56 ON Semiconductor FDMS030N06B
Descripciones
Descripciones de onsemi FDMS86350 suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel 80 V 2.7 W 155 nC Silicon Surface Mount Mosfet - POWER 56-8
N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 130A, 2.4mΩ
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 80V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
MOSFET, N-CH, 80V, 130A, POWER 56-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 130A; Drain Source Voltage Vds: 80V; On Resistance Rds(on): 0.002ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.8V
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight56.5 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance2.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance10.68 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.7 W
Rds On Max2.4 mΩ
Rise Time34 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time50 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5.1 mm
Width6.25 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento