onsemi FDMS8460
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-02-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi FDMS8460 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Power Trench® MOSFET 40V, 49A, 2.2mΩ
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
FDMS8460 Series 40 V 49 A 2.2 mOhm N-Channel PowerTrench® MOSFET - POWER-56
2.5W(Ta),104W(Tc) 20V 3V@ 250¦ÌA 110nC@ 10 V 1N 40V 2.2m¦¸@ 25A,10V 25A,49A 7.205nF@20V PQFN 1.1mm
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 40V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
TAPE REEL / Nch ,Power Trench MOSFET
MOSFET,N CH,40V,25A,POWER56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:49A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.002ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.9V; Power D
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process thant has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance2.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.205 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max2.2 mΩ
Resistance2.2 MΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.9 V
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Voltage40 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento