onsemi FDMS7660AS
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-09-16
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2025-01-05
LTD Date2025-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
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InfineonIRFH3707TRPBF
INFINEON IRFH3707TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 29 A, 30 V, 0.0094 ohm, 10 V, 1.8 VNew
Descripciones
Descripciones de onsemi FDMS7660AS suministradas por sus distribuidores.
N-Channel 30 V 42 A 2.4 mOhm Surface Mount PowerTrench® SyncFETTM - Power56
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 30V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
2.5W(Ta)£¬83W(Tc) 20V 3V@1mA 90nC@ 10 V 1individualNChannel 30V 2.4m¦¸@ 25A,10V 26A£¬42A 6.12nF@15V QFN SMD mount 6mm*5mm*1.1mm
MOSFET, N CH, 30V, 42A, POWER56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.9V; Power Dissipation Pd:83W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
The FDMS7660AS has been designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance. This device has the added benefit of an efficient monolithic Schottky body diode.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)26 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance2.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.12 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max2.4 mΩ
Rise Time8 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.9 V
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width6 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento