onsemi FDMS7608S
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-06-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Single N-Channel 30 V 0.0095 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Descripciones
Descripciones de onsemi FDMS7608S suministradas por sus distribuidores.
2.5W 20V 3V@ 250¦ÌA 24nC@ 10V 2N 30V 10m¦¸@ 12A,10V 12A,15A 1.51nF@15V DFN 6mm*5mm*800¦Ìm
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V
Trans MOSFET N-CH 30V 12A/15A 8-Pin Power 56 T/R
TAPE REEL/PT7 Nch 30/20V & PT8 Nch 30/20V in PQFN5x6 Dual
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
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Small Signal Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual MLP package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronousSyncFET (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Weight226 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.51 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Drivers2
Number of Elements2
Output Current22 A
Output Voltage30 V
Rds On Max10 mΩ
Resistance10 MΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height725 µm
Length5 mm
Width6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento