onsemi FDMD85100
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-03-06
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi FDMD85100 suministradas por sus distribuidores.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 100V 48A 8-Pin PQFN T/R
Avnet Japan
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V 48A, 9.9mΩ
100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET - 8LD, PQFN, JEDEC, 5.0X6.0MM, POWERCLIP DUAL, SYMMETRICAL HAL
MOSFET, N-CH, 100V, 48A, QFN-8; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 48A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0078ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.1
This device includes two 100V N-Channel MOSFETs in a dual Power (5 mm X 6 mm) package. HS source and LS Drain internally connected for half/full bridge, low source inductance package, low rDS(on)/Qg FOM silicon.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight94.85095 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)48 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance9.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.23 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2.2 W
Rds On Max9.9 mΩ
Dimensions
Height800 µm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento