Infineon BSC079N10NSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 13.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
$ 1.36
Obsolete
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

Ver todas las estructuras de precios
DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsBSC079N10NSGATMA15716
1d
FarnellBSC079N10NSGATMA101
1d
Mouser726-BSC079N10NSG921Tape & Reel
Microchip USABSC079N10NSGATMA1233300
7d
Component Stockers USABSC079N10NSGATMA18765
>1wk

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon BSC079N10NSGATMA1.

IHS

Datasheet10 páginasHace 15 años

iiiC

Farnell

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
+0.00%
Powered bySpectra logo

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon BSC079N10NSGATMA1 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
EE Concierge
SímboloFootprint
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-11-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30

Componentes relacionados

InfineonBSC060N10NS3GATMA1
MOSFET Transistor, N Channel, 90 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V
Detalles
onsemiFDMS86101DC
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Dual CoolTM 56, 100V, 60A, 7.5mΩ
Detalles
InfineonBSC100N10NSFGATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP
Detalles
onsemiFDMS86202
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 120V, 64A, 7.2mΩ
Detalles
InfineonBSC057N08NS3GATMA1
MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 80 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.8 V
Detalles
onsemiFDS86140
Single N-Channel 100 V 17 mOhm 41 nC 2.5 W PowerTrench SMT Mosfet - SOIC-8
Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon BSC079N10NSGATMA1 suministradas por sus distribuidores.

Trans MOSFET N-CH 100V 13.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Verical
Power Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 100V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Infineon
MOSFET, N CH, 100A, 100V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):6.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; Current Id Max:100A; Power Dissipation Pd:156W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC

Imágenes

Augswan
iiiC
iiiC

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • BSC079N10NS G
  • BSC079N10NSG
  • SP000379590