onsemi FDMC6675BZ
$ 0.526
NRND
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.00%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de onsemi FDMC6675BZ desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloFootprint | ||
 SnapEDA | Footprint | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-12-12
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE, NOT REC (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
VishaySI4825DDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SOIC / Trans MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-Pin SOIC N T/R
Diodes Inc.DMP3020LSS-13
DMP3020LSS: 30 V 14 mOhm Single P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMG4407SSS-13
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 9.9 A, 0.009 ohm, SOIC, Surface Mount
Descripciones
Descripciones de onsemi FDMC6675BZ suministradas por sus distribuidores.
P-Channel Power Trench® MOSFET -30V, -20A, 14.4mΩ
Transistor, MOSFET, P-CH, 30V, 9.5A, 8-WDFN
P-Channel 30 V 20 A 14.4 mOhm 36 W SMT MOSFET - PowerWDFN-8
Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 30V, 0.0144ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
The FDMC6675BZ has been designed to minimize losses in load switch applications. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest RDS(on) and ESD protection.
MOSFET, P CH, 30V, 20A, MLP 3.3X3.3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-20A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.0107ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.9V; Power Dissipation Pd:36W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:MLP; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.00%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight200 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance14.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.865 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation36 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation36 W
Rds On Max14.4 mΩ
Resistance14.4 MΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1.9 V
Turn-Off Delay Time44 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height800 µm
Length3.3 mm
Width3.3 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento