onsemi FDH50N50-F133
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-12-14
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2023-09-30
LTD Date2024-03-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Componentes relacionados
InfineonIPW65R099C6FKSA1
Mosfet, N-Ch, 650V, 38A, To-247-3; |Infineon Technologies IPW65R099C6FKSA1
STMicroelectronicsSTW45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A, MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
InfineonIPW60R099P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3 / N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
InfineonIPW60R099C6FKSA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 37.9 A, 99 Milliohms, TO-247, 3 Pins, Through Hole
Descripciones
Descripciones de onsemi FDH50N50-F133 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 500 V, 48 A, 105 mΩ, TO-247
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 500V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AB
MOSFET, N-Ch, 625W(Tc), 500V, 20V, 5V@250µA, Qg 137nC@10V, Rds(on) 105mΩ@24A,10V, Id 48A, Coss 6.46nF@25V, TO-247-3, TH, 15.87mm × 4.82mm × 20.82mm
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight6.39 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)48 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance105 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.46 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation625 W
Rds On Max105 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time225 ns
Turn-On Delay Time105 ns
Dimensions
Height24.75 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento