onsemi FDG6317NZ
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-02-25
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2025-04-17
LTD Date2025-10-17
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
Componentes relacionados
VishaySI1553CDL-T1-GE3
SI1553CDL-T1-GE3 Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 0.4A, 0.7A, 20V, 6-Pin SOT-363
Descripciones
Descripciones de onsemi FDG6317NZ suministradas por sus distribuidores.
PowerTrench® MOSFET, Dual 20V N-Channel, 0.7 A, 400 mΩ
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-70 T/R
Avnet Japan
Dual N-Channel 20 V 400 mOhm PowerTrench® Mosfet - SC-70-6
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:0.7mA; On Resistance, Rds(on):0.4ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.2V
This dual N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized use in small switching regulators, providing an extremely low RDS(ON) and gate charge (QG) in a small package.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight28 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)700 mA
Current Rating700 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance400 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time2.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance66.5 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingBulk
Power Dissipation300 mW
Rds On Max400 mΩ
Resistance560 MΩ
Rise Time7 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage1.2 V
Turn-Off Delay Time7.5 ns
Turn-On Delay Time5.5 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length2 mm
Width1.25 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento