onsemi FDG6306P
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EOL
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-11-15
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2023-12-30
LTD Date2024-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Componentes relacionados
VishaySI1553CDL-T1-GE3
SI1553CDL-T1-GE3 Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 0.4A, 0.7A, 20V, 6-Pin SOT-363
Descripciones
Descripciones de onsemi FDG6306P suministradas por sus distribuidores.
PowerTrench® MOSFET, P-Channel 2.5V Specified, -20 V, -0.6 A, 420 mΩ
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-70 T/R
Avnet Japan
PMIC - Power Management - Specialized Tape & Reel (TR) 3 (168 Hours) 32-WFQFN Exposed Pad Surface Mount Processor -40°C~85°C 2.7V~5.5V QUAD IC REG BUCK LDO 32TQFN
This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V).
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight28 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)600 mA
Current Rating-600 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance420 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance114 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation300 mW
Rds On Max420 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage-1.2 V
Turn-Off Delay Time6 ns
Turn-On Delay Time5.5 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length2 mm
Width1.25 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento