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Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi FDFMJ2P023Z.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-08-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2012-08-27
LTD Date2013-02-27
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Descripciones
Descripciones de onsemi FDFMJ2P023Z suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 6-Pin SC-75 MicroFET T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0029A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
1.4W(Ta) 1V@ 250µA 6.5nC@ 4.5V 1individualPChannel 20V 112mΩ@ 2.9A,4.5V 400pF@10V MICROFET，SC-75 SMD mount
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MOSFET, P CH, 20V, 2.9A, 6MICROFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.9A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.093ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-700mV; Power Dissipation Pd:1.4W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:MicroFET; No. of Pins:6; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011)
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.9 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance112 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance400 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.4 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.4 W
Rds On Max112 mΩ
Rise Time4 ns
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento