onsemi FDD8896-F085
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-07-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2021-02-12
LTD Date2021-08-12
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
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onsemiNTD23N03RG
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 3.8A Ta 17.1A Tc 17.1A 1.64W 2ns
Descripciones
Descripciones de onsemi FDD8896-F085 suministradas por sus distribuidores.
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 30V, 94A, 4.7mΩ
Trans MOSFET N-CH 30V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
30V, 93A, 5.7m OHM N-CH PowerTrench MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 30V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Nmos Dpak 30V 5.7 Mohm/Reel |Onsemi FDD8896-F085
MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time41 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.525 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation80 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation80 W
Rds On Max5.7 mΩ
Rise Time106 ns
Turn-Off Delay Time53 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento