onsemi FDD8874
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-06-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2021-10-08
LTD Date2022-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Componentes relacionados
InfineonIRLR7833TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.6Milliohms;ID 140A;D-Pak (TO-252AA);VF 1V
InfineonIRLR7833TRLPBF
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InfineonIRFR3709ZTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 5.2Milliohms;ID 86A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
Descripciones
Descripciones de onsemi FDD8874 suministradas por sus distribuidores.
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 30V, 116A, 5.1mΩ
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,18A I(D),TO-252AA
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Current Rating116 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.99 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max5.1 mΩ
Rise Time96 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time47 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height2.517 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento