onsemi FDD6637
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-11-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de onsemi FDD6637 suministradas por sus distribuidores.
P-Channel 35 V 11.6 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-252-3
P-Channel PowerTrench® MOSFET, 35V, -55A, 11.6mΩ
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 35V, 0.0116ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -13A; Drain Source Voltage Vds: -35V; On Resistance Rds(on): 9.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Thr
This P-Channel MOSFET has been produced using Fairchild Semiconductor's proprietary PowerTrench technology to deliver low Rdson and optimized Bvdss capability to offer superior performance benefit in the applications.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage-35 V
Drain to Source Resistance11.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-35 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time36 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.37 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation57 W
Min Breakdown Voltage35 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.6 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.3 W
Rds On Max11.6 mΩ
Resistance11.6 MΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1.6 V
Turn-Off Delay Time62 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento