onsemi FDD4141-F085
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5
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
TO-252
Drain to Source Voltage (Vdss)
-40 V
-40 V
Continuous Drain Current (ID)
10.8 A
50 A
Threshold Voltage
-
-1.8 V
Rds On Max
12.3 mΩ
12.3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
69 W
2.4 W
Input Capacitance
2.775 nF
2.775 nF
Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-04-29
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-01-21
LTD Date2023-10-02
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
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Descripciones
Descripciones de onsemi FDD4141-F085 suministradas por sus distribuidores.
P-Ch MOSFET 40V 12.7A 12.3mΩ@10V 50A 2.775nF@20V TO-252AA SMD 6.73mm × 6.22mm × 2.39mm
FDD4141-F085 P-Channel MOSFET, 50 A, 40 V PowerTrench, 3-Pin DPAK ON Semiconductor
PowerTrench® MOSFET, P-Channel, -40V, -50A, 12.3mΩ
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This P-Channel MOSFET has been produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary PowerTrench® technology to deliver low rDS(on) and optimized Bvdss capability to offer superior performance benefit in the applications. and optimized switching performance capability reducing power dissipation losses in converter/inverter applications.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-40 V
Drain to Source Resistance12.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.775 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation69 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation69 W
Rds On Max12.3 mΩ
Resistance12.3 MΩ
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento