Precio y existencias
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Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi FDB8876.
Componentes relacionados
InfineonIPB80N03S4L02ATMA1
30V, N-Ch, 2.4 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
Descripciones
Descripciones de onsemi FDB8876 suministradas por sus distribuidores.
MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK
TRANS MOSFET N-CH 30V 71A 3PIN TO-263
MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 71A I(D), 30V, 0.0103ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)71 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance10.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time41 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.7 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation70 W
Rds On Max8.5 mΩ
Rise Time113 ns
Turn-Off Delay Time50 ns
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento