onsemi FDB8870-F085
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-07-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2009-11-04
LTD Date2010-05-04
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
InfineonIRL7833SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 150A;D2Pak;PD 140W;VGS +/-2
InfineonIRL3713STRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 2.6Milliohms;ID 260A;D2Pak;PD 330W;VGS +/-2
STMicroelectronicsSTB155N3LH6
N-channel 30 V, 0.0024 Ohm, 80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in D2PAK package
Descripciones
Descripciones de onsemi FDB8870-F085 suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 30V 23A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 30V, 160A, 3.9mΩ
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)23 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance4.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time47 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.2 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation160 W
Rds On Max3.9 mΩ
Rise Time98 ns
Turn-Off Delay Time75 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento