onsemi FDB86102LZ
$ 0.869
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | FDB86102LZ | 800 | 800 | |||||||||
| Arrow Electronics | FDB86102LZ | 800 | 800 | |||||||||
| Rochester Electronics | FDB86102LZ | 21.660 | 20h | |||||||||
| DigiKey | FDB86102LZCT-ND | 282 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | FDB86102LZ | 0 | 800 | Tape & Reel |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -9.69%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi FDB86102LZ.
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de onsemi FDB86102LZ desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-05-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
InfineonIPB35N10S3L26ATMA1
100V, N-Ch, 26.3 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T, PG-TO263-3, RoHS
InfineonAUIRF540ZS
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
onsemiHUF76633S3S
38A, 100V, 0.036 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 38A D2PAK
Descripciones
Descripciones de onsemi FDB86102LZ suministradas por sus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 30A, 24mΩ
Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 100V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 100V, 30A, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.018ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.5V; Power Dissipation Pd:3.1W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-263AB; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and switching loss. G-S zener has been added to enhance ESD voltage level.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -9.69%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance24 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.275 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.1 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2 W
Rds On Max24 mΩ
Rise Time2.1 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.5 V
Turn-Off Delay Time18.2 ns
Turn-On Delay Time6.6 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Length10.67 mm
Width11.33 mm
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi FDB86102LZ.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento