Infineon IRF9540NSPBF
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-08-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de Infineon IRF9540NSPBF suministradas por sus distribuidores.
Single P-Channel 100 V 117 mOhm 73 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.117Ohm;ID -23A;D2Pak;PD 140W;VGS +/-20V
-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET
MOSFET, P, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:23A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):117mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power Dissipation Pd:140W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Current Id Max:-23A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:140W; Power Dissipation Pd:140W; Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.8W; Pulse Current Idm:27A; SMD Marking:IRF9540NS; Termination Type:SMD; Voltage Vds:100V; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:-4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)23 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance117 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time51 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.45 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance117 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation94 W
Rds On Max117 mΩ
Recovery Time210 ns
Rise Time67 ns
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento